Новостной журнал

Рeзультaты рaбoты oпубликoвaны в журнaлe Nature Communications.MRAM oтличaeтся oт сoврeмeнныx флeш памяти в том, что информация хранится, с помощью магнитов, а не электрических зарядов. Указать частицам это направление, раньше пускали большой поток электронов с подходящими спинами. Для этого используют спин, собственный момент импульса элементарных частиц, имеющий квантовую природу, которая характеризует направление частицы в пространстве, учитывая направление-вверх или вниз. Считается, что в настоящее время MRAM смогут вытеснить с рынка флэш-память и отображается во всех современных компьютеров. Однако, такой способ расходовал много тока и не позволял применять MRAM во всем мире.Физики, работающие под руководством Хэнка Свогтена, разработала новый метод, который повышает скорость и уменьшить затраты энергии. На рынке она появилась в 2006 году. Гораздо быстрее, эффективнее и живучее других средств хранения информации в MRAM не сумела вытеснить своих конкурентов, потому что довольно много электроэнергии.На одном из этапов своей работы MRAM необходимо заставить электроны двигаться в нужном направлении. К тому же, MRAM сохраняет данные даже при отсутствии внешнего питания.